En esta primera etapa, Samsung producirá memoria flash para la próxima generación de dispositivos móviles, de 128 y 512 GB, y en los próximos meses se ampliará la línea con versiones de 256 GB y 1TB.
Este nuevo estándar UFS 3.0, permite que las nuevas memorias lleven a los dispositivos a otro nivel, por ejemplo con velocidad de lectura y escritura como la que tienen los portátiles, y soportando las características cada vez más demandantes que los fabricantes imponen para satisfacer las expectativas de los usuarios.
Por ejemplo, en la versión de 512 GB, puede ofrecer velocidades de lectura de hasta 2100 Mbps, y 410 Mbps de lectura, entre otras asombrosas posibilidades, como menciona el equipo de Samsung:
LA ÚLTIMA ESPECIFICACIÓN DE EUFS 3.0, LA NUEVA MEMORIA DE SAMSUNG OFRECE EL DOBLE DE LA VELOCIDAD DEL ALMACENAMIENTO DE EUFS ANTERIOR (EUFS 2.1), PERMITIENDO QUE LA MEMORIA MÓVIL ADMITA EXPERIENCIAS DE USUARIO SIN PROBLEMAS EN FUTUROS TELÉFONOS CON PANTALLAS DE GRAN RESOLUCIÓN Y GRAN TAMAÑO.
Esta combinación de mayor almacenamiento, velocidad y menor consumo de energía, permitirá que disfrutemos de dispositivos móviles con pantallas más grandes, y que más fabricantes se unan a esta tendencia de pantallas plegables, o sorprendan con futuras innovaciones.
630 veces más rápida que una tarjeta microSD en lecturas aleatorias
En cuanto a las velocidades aleatorias, este chip ha mejorado un 36% su rendimiento, alcanzando 63.000 IOPS de lectura y 68.000 IOPS de escritura, donde son hasta 630 veces más rápidos que una tarjeta microSD.
Crédito de la imagen: Samsung
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